Bulk 電壓

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它和類雙極主導電通道的MOSFET的結構類似。

它們一般用於漏源電壓範圍在200-3000伏的 ...CN103036538B - 校准比较器失调电压的电路及其方法- Google Patents本发明公开了一种校准比较器失调电压的电路及其方法，该电路包括：比较器、 输出 ... 第二控制信号控制的第八开关连接校准比较器失调电压的电路的第二输出端V tw。

... 第一工作电压Vip通过第二控制信号@控制的第一开关Gl连接比较器10的正相 ... 信号CLK。

α类衬底电压生成器的输出端V bulk连接控制信号为第一控制信号EN ...[PDF] 洪子聖博士題目 - 國立中山大學學位論文µ 製程中電晶體Bulk等效T字型模型...............23. 圖2.35 Bulk電阻值 ... 的關係............ 29. 圖3.10a 以ADS 模擬相位雜訊頻率位移500kHz 時對控制電壓的關係. ... [4] B. D. Muer, M. Borremans, M. Steyaert, and G. L. Puma, “A 2GHz Low. Phase Noise ...旁路、去耦、Bulk以及耦合电容的作用与区别| 村田中文技术社区因为作者能力有限，如有不妥之处希望各位网友可以批评指正。

数字电路系统中的电源系统. 对于数字芯片总希望供电电源的电压是恒定的DC值，不要出现任何的波动 ...低电压环形振荡器设计_百度文库低电压环形振荡器设计- 第28 卷第6 期2007期6 月第6 年通信学报Journal on ... ring oscillator was designed by forward biasing the bulk of the PMOS transistor. ... 导，CL 为输出点的等效电容，GL 为输出点的等效电导，它包括电阻R1，MOS ... LI T W, ZENG X J, HONG Z L. Design of 1V, 2.5GHz voltage controlled oscillator[J].CN101373635A - 非易失存储器件- Google Patents第二晶体管区的栅承受电压低于第一晶体管区的栅承受电压。

假设第二晶体管区 ... 全局位线（GL),并可以采用分割的位线结构（分层的位线结构）。

分割的位线结构 ...