間隙缺陷

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間隙缺陷- 维基百科，自由的百科全书間隙缺陷是點缺陷的一種，指代的是一個原子佔據了晶體晶格中本不應該存在原子的位置，或是兩個或者更多的原子共同分享一個或者多個晶格格位，但這些原子的 ...[PDF] 第四章固體中之不完美性陷亦表示於圖4.1 中。

○ 在金屬中，由於置換式原子大於間隙式原子的位置，因. 此，自間隙原子會在周圍的晶格引入相對大的畸變，此種. 缺陷形成的可能性不高 ...弗倫克爾缺陷- Wikiwand弗倫克爾缺陷（英文Frenkel defect 或Frenkel disorder ）是指晶體結構中由於原先占據一個格點的原子（或離子）離開格點位置，成為間隙原子（或離子），並在其 ...[PDF] 國立交通大學材料科學與工程學系碩士論文以貼靶濺鍍法製備含GaN ...Hsinchu, Taiwan, Republic of China. 中華民國97 年10 ... 2.7.4、綠光發光能帶（ Green Luminescence Band，GL）…………….18. 2.7.5、紅光 ... （a） 間隙型鎵缺陷（Gai）：由於Ga原子尺寸相對來的大，使得要形成Gai須要. 很大的能量，也 ...[PDF] 國立交通大學材料科學與工程學系碩士論文 - 國立交通大學機構典藏Hsinchu, Taiwan, Republic of China. 中華民國九十五年八月 ... -2)、鋅原子空缺( VZn)、間隙型鋅缺陷(Zni)、間隙型. 氧缺陷(Oi)、取代型缺陷氧 ... [3] G.L. Mar et al., “ Factors influencing the chemical vapor deposition of oriented ZnO films Using ...含缺陷金属Ti力学性能的模拟研究 - 金属学报分别研究了含有不同浓度的空位、自间隙杂质原子、杂质He原子缺陷的金属Ti样品在2×109 s-1 ... 还分别对含有自间隙杂质原子和杂质He原子的金属Ti的拉伸断裂过程进行了观察与分析. ... [6], Wulf G L . ... [11], Zhou F H , Wright T W , Ramesh K T .[PDF] Study of Co doped ZnO diluted magnetic semiconductor with various ...鋅摻鈷薄膜於不同氧缺陷濃度下，其氧缺陷對薄膜特性及室溫鐵磁之關係。

本實驗使用固態合成 ... 間隙. 磁性. 生未. 產生. 空缺. 態密. 電子. 氧化鋅內無. 如氧缺陷(oxy. 隙(zinc inters. 性的貢獻，隨 ... [12]G. L. Liu, Q. Cao, J. X. Deng, Appl. Phys. Lett.点缺陷_百度百科点缺陷是发生在晶体中一个或几个晶格常数范围内，其特征是在三维方向上的尺寸都很小，例如空位、间隙原子、杂质原子等，都是点缺陷，也可称零维缺陷 。

CN100379006C - Soi晶片及其制造方法- Google Patents通常由于出现点缺陷，即空位或间隙硅原子，而在硅晶片中形成以下的缺陷类型： ... 的缺陷，如小丘、尖峰和外延层错（F. Passek, R. Schmolke, U. Lambert, GL P ...[PDF] Earth StructureNational Taiwan University. Dent (牙齒) De Morcles ... (2) Line defects (線缺陷) or dislocations (差排). (3) Planar defects ... (c) Interstitials (間隙雜質). (d) Vacancy ...