能帶結構- Wikiwand

GaN(氮化鎵)與SiC（碳化矽）這兩種寬能隙（wide band gap）半導體在大陸被稱之為第三代半導體，這是相對於第一代Si、第二代化合物半導體 ...

○ 禁制能帶的寬度稱為(energy gap). Page 21. 半導體物理-固態量子理論導論. 21. 包立不 ...

在固態物理學中，固體的能帶結構（又稱電子能帶結構）描述了禁止或允許電子所帶有的能量，這是周期性晶格中的量子動力學電子波繞射引起的。材料的能帶結構 ...

凝態物理(condensed matter physics) 是物理領域中專門研究物質(材料) 性質與相變(phase transition) 的一個子領域，而能帶理論(Energy band ...

當許多原子靠近一起組合. 成固體時，一些鄰近原子的外圍電子會互. 相影響，這些電子的能量會合併成像帶狀. 的能帶區，不同能帶區的能量差，就稱為. 能隙（band ...