X光繞射儀(XRD) - 貴重儀器中心

服務項目：. ˙塊材、薄膜之一般繞射分析。

˙多晶薄膜低掠角繞射分析。

(備註:以上分析僅提供圖譜數據，不提供組成鑑定服務). 跳到主要內容區塊 首頁 科技部貴儀 X光繞射儀(XRD) 儀器中文名稱:多功能高功率X光繞射儀 儀器英文名稱:D8DISCOVERSSSMultiFunctionHighPowerX-rayDiffractometer 儀器英文簡稱:D8XRD 儀器設備說明: ˙購置時間：99年8月 ˙開放服務：100年1月 ˙放置地點：工程一館237實驗室(E1-237Lab) ˙廠牌型號：BrukerD8DISCOVERSSSMultiFunctionHighPowerXRD ˙規格： 1.X-ray光源：旋轉陽極銅靶(CuKαλ=0.154060nm)、18KW高壓電源供應器、陰極鎢燈絲：0.5x10mm線出光及真空密閉環境 2.測角儀系統：水平式θ/2θ架構 (1)作動範圍(o):-5.66983~177.386 (2)最小間距(o):0.002 (3)停留時間範圍(s):0.025~86400 3.旋轉樣品台：開放式尤拉環安裝在測角儀上可讓樣品自動地實現五個自由度的動作(X、Y、Z、Phi、Chi)，包括二維平移、垂直樣品的表面方向移動，樣品繞法線自轉，繞樣品表面水準線轉動，及2θ、θ角掃描 4.偵測器： (1)閃爍計數器最大線性計數量可達2x106pulses/sec (2)線偵測器最大偵搜角度12o 5.光學配件： (1)平行X光導出裝置 (2)平行X光繞射配件 (3)四階自動強度衰減器 服務項目： ˙塊材、薄膜之一般繞射分析。

˙多晶薄膜低掠角繞射分析。

(備註:以上分析僅提供圖譜數據，不提供組成鑑定服務) 樣本製備要求： ˙試片最大面積可達直徑10.0cm，但不得低於1.0cm x1.0cm（試片越大越好），高度不得高於0.6cm且試片坡度不宜落差太大。

˙試片底部固定面須平整無突起，且塊材表面粗糙應先拋光較佳。

˙委託者須對試片結構瞭解，包括基材、薄膜厚度、成分、2θ繞射主峰角度等。

˙不接受具揮發性與毒性之試樣。

˙實驗前，請先瞭解相關設定參數如下，以估算預約時數。

1.【掃瞄範圍】請先上網使用關鍵字搜尋與材料相關之XRD圖譜可大約知道範圍，若是未知樣品，建議掃描全圖譜，即2θ範圍20-80(正負10度)。

2.【掃描間距】即偵測器所偵測每點之角度間距，一般使用0.02-0.05度(將視峰形再調整)，若樣品繞射峰所佔2theta角度大(>2度)，建議使用間距0.05度。

3.【每點掃描時間】以一般廣角量測時間10分鐘、間距0.02度來估算，每點掃描時間＝10min×60s÷(80-20)÷0.02＝0.2s〔備註:每點掃描時間越長，圖譜品質較佳〕 4.【每樣品所需時間估算】以上述為例，除了10mins為基本量測時間，須再預留20mins之高度校正、入射角條件測試、更換樣品，計約30mins。

 (備註:實際所需量測時間，仍將依當天量測情形而定) 收費標準：     1.校內自行操作：240元/時     2.校內（外）委託操作：360元/時      (備註：委託操作採時段預約，每時段為3小時。

若實驗不足3小時，仍以3小時計費。

) 開放服務對象：校內、校外學術單位及產業界 聯絡資訊： ˙儀器負責教授:顏怡文教授 TEL:(02)2737-6659 E-Mail:[email protected] ˙儀器負責技術員:洪嘉彬先生 TEL:(02)2733-3141#6540、#3685 E-Mail:[email protected] 儀器中文名稱:D2PHASER粉末X光繞射儀 儀器英文名稱:D2PHASERX-rayPowderDiffractometer 儀器英文簡稱:D2XRD 儀器設備說明: ˙購置時間：99年8月 ˙開放服務：100年1月 ˙放置地點：工程一館237實驗室(E1-237Lab) ˙廠牌型號：BrukerD2PHASERXRD ˙規格： 1.X-ray光源：陽極銅靶(CuKαλ=0.154060nm)、300W高壓電源供應器。

2.測角儀系統：垂直式θ-θ架構 (1)作動範圍(o): -3~160 (2)最小間距(o): 0.002 (3)停留時間範圍(s):0.025~86400 3.偵測器：Lynxeye一維線偵測器 服務項目： ˙粉末、塊材、薄膜之一般繞射分析。

(備註:以上分析僅提供圖譜數據，不提供組成鑑定服務) 樣本製備要求： ˙粉末樣品顆粒小於300mesh或50μm（壓平無顆粒感）較佳，重量至少大於50mg，多準備更佳。

˙塊材試片不大於3.5  x3.5cm，但不得低於1.0cm  x1.0cm（試片越大越好），高度不高於0.4cm，且量測表面須粗糙建議應拋光。

˙若單純為薄膜態樣，試片表面應平坦，且大於約為3cm  x3cm以利裁切及固定。

˙委託者須對試片結構瞭解，包括基材、薄膜厚度、成分、2θ繞射主峰角度等。

˙不接受具揮發性與毒性之試樣。

˙實驗前，請先瞭解相關設定參數如下，以估算預約時數。

1.【掃瞄範圍】請先上網使用關鍵字搜尋與材料相關之XRD圖譜可大約知道範圍，若是未知樣品，建議掃描全圖譜，即2θ範圍20-80(正負10度)。

2.【掃描間距】即偵測器所偵測每點之角度間距，一般使用0.02-0.05度(將視峰形再調整)，若樣品繞射峰所佔2theta角度大(>2度)，建議使用間距0.05度。

3.【每點掃描時間】以一般廣角量測時間10分鐘、間距0.02度來估算，每點掃描時間＝10min×60s÷(80-20)÷0.02＝0.2s〔備註:每點掃描時間越長，圖譜品質較佳〕 4.【每樣品所需時間估算】以上述為例，除了10mins為基本量測時間，須再預留10mins之參數測試、更換樣品，計約20mins。

 (備註:實際所需量測時間，仍將依當天量測情形而定) 收費標準：     1. 校內委託操作：360元/時     2.校外委託操作：720元/時     3.產業委託操作：2400元/時      (備註：委託操作採時段預約，每時段為2小時或1小時。

若實驗不足1時段，仍以1時段計費。

) 開放服務對象：校內、校外學術單位及產業界 聯絡資訊： ˙儀器負責教授:顏怡文教授 TEL:(02)2737-6659 E-Mail:[email protected] ˙儀器負責技術員:洪嘉彬先生 TEL:(02)2733-3141#6540、#3685 E-Mail:[email protected] 儀器中文名稱:D2PHASERXE-T粉末X光繞射儀 儀器英文名稱:D2PHASERXE-TX-rayPowderDiffractometer 儀器英文簡稱:D2XE-TXRD 儀器設備說明: ˙購置時間：107年12月 ˙開放服務：108年1月 ˙放置地點：工程一館237實驗室(E1-237Lab) ˙廠牌型號：BrukerD2PHASERXE-TXRD ˙規格： 1.X-ray光源：陽極銅靶(CuKαλ=0.154060nm)、300W高壓電源供應器。

2.測角儀系統：垂直式θ-θ架構 (1)作動範圍(o): -3~160 (2)最小間距(o): 0.002 (3)停留時間範圍(s):0.025~86400 3.偵測器：LynxeyeXE-T一維線偵測器 服務項目： ˙粉末、塊材、薄膜之一般繞射分析。

(備註:以上分析僅提供圖譜數據，不提供組成鑑定服務) 樣本製備要求： ˙粉末樣品顆粒小於300mesh或50μm（壓平無顆粒感）較佳，重量至少大於50mg，多準備更佳。

˙塊材試片不大於3.5  x3.5cm，但不得低於1.0cm  x1.0cm（試片越大越好），高度不高於0.4cm，且量測表面須粗糙建議應拋光。

˙若單純為薄膜態樣，試片表面應平坦，且大於約為3cm  x3cm以利裁切及固定。

˙委託者須對試片結構瞭解，包括基材、薄膜厚度、成分、2θ繞射主峰角度等。

˙不接受具揮發性與毒性之試樣。

˙實驗前，請先瞭解相關設定參數如下，以估算預約時數。

1.【掃瞄範圍】請先上網使用關鍵字搜尋與材料相關之XRD圖譜可大約知道範圍，若是未知樣品，建議掃描全圖譜，即2θ範圍20-80(正負10度)。

2.【掃描間距】即偵測器所偵測每點之角度間距，一般使用0.02-0.05度(將視峰形再調整)，若樣品繞射峰所佔2theta角度大(>2度)，建議使用間距0.05度。

3.【每點掃描時間】以一般廣角量測時間10分鐘、間距0.02度來估算，每點掃描時間＝10min×60s÷(80-20)÷0.02＝0.2s〔備註:每點掃描時間越長，圖譜品質較佳〕 4.【每樣品所需時間估算】以上述為例，除了10mins為基本量測時間，須再預留10mins之參數測試、更換樣品，計約20mins。

 (備註:實際所需量測時間，仍將依當天量測情形而定) 收費標準：     1. 校內委託操作：360元/時     2.校外委託操作：720元/時     3.產業委託操作：2400元/時      (備註：委託操作採時段預約，每時段為2小時或1小時。

若實驗不足1時段，仍以1時段計費。

) 開放服務對象：校內、校外學術單位及產業界 聯絡資訊： ˙儀器負責教授:顏怡文教授 TEL:(02)2737-6659 E-Mail:[email protected] ˙儀器負責技術員:洪嘉彬先生 TEL:(02)2733-3141#6540、#3685 E-Mail:[email protected] ※本機不同於第一代之特點 ˙本機所配備最新款線偵測器『LYNXEYEXE-T』，能量解析(<380eV)高，針對樣品中含有高濃度鐵、鈷、鎳能發揮有效之螢光壓抑效果，且毋須加裝鎳片即可過濾Kβ訊號，故能量強度較高，並可獲超佳之S/N。

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