紫外曝光機 - 中文百科全書

紫外曝光機背景,系統組成及其工作原理,性能指標,分類,接觸式曝光,接近式曝光,投影式曝光, 紫外曝光機 紫外曝光機，也稱光刻機、掩模對準曝光機、曝光系統、光刻系統等，是印刷線路板（PCB）製作工藝中的重要設備。

一般的光刻工藝要經歷矽片表面清洗烘乾、塗底、旋塗光刻膠、軟烘、對準曝光、後烘、顯影、硬烘、刻蝕等工序。

其主要性能指標有：支持基片的尺寸範圍，解析度、對準精度、曝光方式、光源波長、光強均勻性、生產效率等。

基本介紹 中文名：紫外曝光機外文名：MaskAligner別稱：光刻機、掩模對準曝光機等釋義：PCB製作工藝的重要設備主要性能指標：解析度、對準精度、曝光方式等分類：接觸式、接近式和投影式曝光 背景,系統組成及其工作原理,性能指標,分類,接觸式曝光,接近式曝光,投影式曝光, 背景在積體電路集成度不斷提高的過程中，積體電路製造技術起著不可替代的作用。

積體電路製造流程繁多、工藝複雜，其中一道工藝是將設計好電路版圖轉移到矽片上形成積體電路。

這一工藝就是光刻技術，使用的主要設備是光刻機。

光刻機的解析度和套刻精度直接決定了所製造的積體電路的集成度。

而且光刻機的研製涉及光學、機械、精密測量、控制等技術，所以是整個積體電路製造中最複雜和精度最高的設備之一，也是最關鍵的設備之一。

此外，光刻機還有一個經濟指標——產率，圍繞著這三項指標，光刻機的研製技術不斷進步，推動著積體電路製造技術的向前發展。

比如荷蘭ASML公司把TWINSCANXT:1950Hi升級到TWINSCANXT:1950i，套刻精度和產率分別提高了約37.5%和18.2%。

目前，光刻機的主要研製廠商有荷蘭的ASML公司和日本的尼康、佳能，它們幾乎壟斷了全球的光刻機市場。

我國是積體電路的消費大國，也是生產大國，但生產的主要是低端積體電路。

近年來，也引進了一些國外的積體電路製造商，比如中芯國際、台積電、宏力半導體等，但仍然無法得到光刻機的相關關鍵技術。

為推動我國積體電路產業的跨越發展，也為推進我國工業化和信息化進程，國家在2006年發布的《國家中長期科學和技術發展規劃綱要（2006-2020）》中將“極大規模積體電路製造裝備及成套工藝”明確為重大專項。

通過這一專項的實施，已經取得了一些成果。

系統組成及其工作原理傳統曝光機光學系統主要由光源（高壓球形汞燈）、橢球面反光杯、冷光鏡、透射式複眼透鏡陣列、二向色鏡和球面平行光反射鏡組成。

光源發出的光被橢球面反光杯聚焦後，經冷光鏡反射到複眼透鏡陣列場鏡，從投影鏡出射的光到達二向色鏡，光譜中的紫外部分被50%透射，50%反射後，到達兩塊對稱分布的大面積球面平行反光鏡，被準直反射到曬板上對PCB板進行曝光。

性能指標光刻機的主要性能指標有：支持基片的尺寸範圍，解析度、對準精度、曝光方式、光源波長、光強均勻性、生產效率等。

其中，解析度是對光刻工藝加工可以達到的最細線條精度的一種描述方式，光刻的解析度受受光源衍射的限制,所以與光源、光刻系統、光刻膠和工藝等各方面的限制。

對準精度是在多層曝光時層間圖案的定位精度。

曝光方式分為接觸接近式、投影式和直寫式。

曝光光源波長分為紫外、深紫外和極紫外區域，光源有汞燈，準分子雷射器等。

分類接觸式曝光接觸式曝光指掩膜板直接與光刻膠層接觸。

曝光出來的圖形與掩膜板上的圖形解析度相當，設備簡單。

接觸式，根據施加力量的方式不同又分為：軟接觸，硬接觸和真空接觸。

接觸的越緊密，解析度越高，當然接觸的越緊密，掩膜和材料的損傷就越大。

（1）軟接觸：把基片通過托盤吸附住（類似於勻膠機的基片放置方式），掩膜蓋在基片上面；（2）硬接觸：將基片通過一個氣壓（氮氣），往上頂，使之與掩膜接觸；（3）真空接觸：在掩膜和基片中間抽氣，使之更加好的貼合（想一想把被子抽真空放置的方式）其缺點為：光刻膠污染掩膜板；掩膜板的磨損，容易損壞，壽命很低（只能使用5～25次）；容易累積缺陷；上個世紀七十年代的工業水準，已經逐漸被接近式曝光方式所淘汰了，國產光刻機均為接觸式曝光，國產光刻機的開發機構無法提供工藝要求更高的非接觸式曝光的產品化。

接近式曝光接近式曝光指掩膜板與光刻膠基底層保留一個微小的縫隙（Gap），Gap大約為0～200μm。

可以有效避免與光刻膠直接接觸而引起的掩膜板損傷，使掩膜和光刻膠基底能耐久使用；掩模壽命長（可提高10倍以上），圖形缺陷少。

接近式在現代光刻工藝中套用最為廣泛。

投影式曝光投影式曝光指在掩膜板與光刻膠之間使用光學系統聚集光實現曝光。

一般掩膜板的尺寸會以需要轉移圖形的4倍製作。

優點：提高了解析度；掩膜板的製作更加容易；掩膜板上的缺陷影響減小。

投影式曝光分為：（1）掃描投影曝光（ScanningProjectPrinting）。

70年代末～80年代初，〉1μm工藝；掩膜板1：1，全尺寸。

（2）步進重複投影曝光（Stepping-repeatingProjectPrinting或稱作Stepper）。

80年代末～90年代，0.35μm（Iline）～0.25μm（DUV）。

掩膜板縮小比例（4：1），曝光區域（ExposureField）22×22mm（一次曝光所能覆蓋的區域）。

增加了稜鏡系統的製作難度。

（3）掃描步進投影曝光（Scanning-SteppingProjectPrinting）。

90年代末～至今，用於≤0.18μm工藝。

採用6英寸的掩膜板按照4:1的比例曝光，曝光區域（ExposureField）26×33mm。

優點：增大了每次曝光的視場；提供矽片表面不平整的補償；提高整個矽片的尺寸均勻性。

但是，同時因為需要反向運動，增加了機械系統的精度要求。

相關詞條 紫外曝光機紫外曝光機,也稱光刻機、掩模對準曝光機、曝光系統、光刻系統等,是印刷線路板(PCB)製作工藝中的重要設備。

一般的光刻工藝要經歷矽片表面清洗烘乾、塗底、旋塗光...曝光機紫外線曝光機是指通過開啟燈光發出UVA波長的紫外線,將膠片或其他透明體上的圖像信息轉移到塗有感光物質的表面上的機器設備。

...曝光(攝影術語)曝光是指將感光版置於曬版機工作檯上,放好底片,通過曝光獲得一種潛在或可見圖像的過程。

曝光是一切光化學成像方法的基本過程與主要特徵。

曝光,曝光模式即計算機採用...Scientz03-II紫外交聯儀Scientz03-II紫外交聯儀是一種多用途的254mm紫外輻射系統,主要用於將核酸交聯於...■UV曝光能量手動設定UV遮擋視窗■UV曝光時間手動設定大型不鏽鋼紫外曝光機■...曝光量在理想情況下,曝光劑量是一個固定參數,整個矽片都受到均勻一致的光輻照。

但在實際生產中,曝光機光源的能量可能會受到外界因素的影響而變化[1]。

劑量均勻的紫外光...光刻機光刻機(MaskAligner)又名:掩模對準曝光機,曝光系統,光刻系統等。

常用的光刻機是掩膜對準光刻,所以叫MaskAlignmentSystem.一般的光刻工藝要經歷矽片表面...半導體光刻技術為了提高解析度,光學曝光機的波長不斷縮小,從436mm、365mm的近紫外(NUV)進入到246mm、193mm的深紫外(DUV)。

246nm的KrF準分子雷射,首先用於0.25μm的曝光,後來... 熱門詞條 神龜 dayandday 乳齒象 月是故鄉明 真除 羅賓·西克 公仔箱 婚鞋 吳明珠 基因 清潔窗戶 星辰online jasmine 楊玉玲 金山大飯店 封神無雙 小姨子 J12 rush 劉婧婧 除斥期間 WHISKY 甘願 給朱麗葉的信 美濃民俗村 百變 Carrera Xman 紫外曝光機@中文百科全書