X光繞射分析(XRD) - iST宜特

X光繞射分析(X-ray diffraction analysis, XRD) 是透過X光與晶體的繞射產生圖譜，並從圖譜資料庫比對，即可推論出材料晶體的排列結構、晶體排列的方式 ... Searchfor: Searchfor: Skiptocontent 服務項目 量產服務 MOSFET晶圓後段製程(BGBM) 驗證分析 IC電路修補 工程樣品製備 故障分析 訊號測試 材料分析 可靠度設計驗證 化學分析/各類輔導 技術文庫 關於宜特 品牌故事 榮耀與認證 企業社會責任 團隊關係 聯絡宜特 新聞活動 最新消息 媒體報導 研討會 投資人服務 財務資訊 公司治理 股東服務 菁英招募 選擇宜特 加入宜特 如何前來宜特 FAQ|招募窗口 聯絡宜特 營運據點 聯絡窗口 Language 繁體中文 简体中文 English 日本語 Search 2017-07-03byruby X光繞射分析(X-raydiffractionanalysis,XRD)是透過X光與晶體的繞射產生圖譜，並從圖譜資料庫比對，即可推論出材料晶體的排列結構、晶體排列的方式和奈米晶粒大小，以及單晶、多晶薄膜材料的結晶性分析等，為評估材料特性的一種非破壞式分析儀器。

如何利用表面分析工具，抓出半導體製程缺陷借力三大工具，精準量測樣品表面粗糙度如何不破壞樣品，分析晶體結構與薄膜特性？ iST宜特能為你做什麼 宜特引進的XRD(X光繞射分析)，同時也搭載XRR(薄膜X光反射X-rayReflectivity)功能。

XRD是運用繞射原理，而XRR則是XRD的反射圖譜，藉此可進一步得到薄膜厚度(達0.1nm厚度的精準度)；樣品表面、層與層的介面粗糙度；薄膜的電子密度；甚至可以進行多層膜分析(總厚度限制在500nm以下)，為非破壞分析薄膜材料特性的絕佳工具。

iST宜特服務優勢1XRD最小光點分析力：0.3mm 2高功率，高強度X光源：6kW 3定點圖樣分析：雷射光點定位 4樣品分析尺寸：可放置12英寸晶圓，移動範圍8英寸 案例分享XRD可分析的材料特性雙層奈米薄膜Al2O3之XRR分析LED磊晶高解析(HR)XRD分析 材料晶格結構特性分析應用 分析樣品：Al2O3/Si 以下是矽基材上成長氧化鋁薄膜的X光反射圖譜擬合的結果，從以下表格中可以看到實際上有兩層不同密度的氧化鋁薄膜，上下層的厚度分別為0.94nm與6.69nm；另外氧化鋁表面與矽基材介面的粗糙度分別約0.49nm與0.23nm。

分析樣品：InxGa1-xN/GaN超晶格 以下是LED晶片磊晶結構的高解析X光繞射分析圖，從圖中擬合的結果，可以看到超晶格InxGa1-xN/GaN的厚度與組成比例分別為2.4nm/14.35nm與x=16.27%。

應用範圍設備能量應用產業 晶體結構分析(晶格) 結晶性分析 織構(texture)分析 薄膜殘餘應力分析 倒晶格空間圖(RSM)分析 XRR分析 BrukerNewD8Discover X光源6kWturboX-ray spotsize:0.3*3mm 偵測器LynxEye PathFinder 其他功能2bouncemonochromatorGe(002) Laseralignment 半導體產業 LED產業 光電產業 奈米材料研發 聯絡窗口 | 張先生/Johnson | 電話：+886-3-5799909#6613 | email: [email protected] 您可能有興趣的其他服務 原子力顯微鏡(AFM) 掃描式電子顯微鏡(SEM) 剖面/晶背研磨(Cross-section/Backside) 穿透式電子顯微鏡(TEM) 量產服務 MOSFET晶圓後段製程 MOSFET正面金屬化製程 化鍍/無電鍍(Chemical/Electro-lessPlating)正面金屬濺鍍沈積(Front-SideMetalSputteringDeposition) MOSFET背面研磨製程 晶圓薄化(WaferThinning/Non-TaikoGrinding/ConventionalGrinding) MOSFET背面金屬化製程 金屬蒸鍍沈積(MetalEvaporationforBacksideMetallization)厚銀製程(ThickAgProcess) 後段製程完整解決方案 晶片測試(ChipProbing) 雷射刻號(LaserMarking) 真空貼片(VacuumMounting) 太鼓環移除(Ringremoval) 晶片切割(Diesawing) 切割後測試(FrameProbing) 晶粒挑揀(Tape/Reel) 最終測試(FinalTest)  驗證分析 IC電路修補 FIB介紹與應用 IC電路修改/點針墊偵錯新型FIB電路修補(N-FIB)新型WLCSP電路修正技術 工程樣品製備 快速封裝 晶圓切割(WaferDicing)高精度多功能黏晶IC打線/封裝 SMT測試樣品製備/量產 SMT測試樣品製備/量產 故障分析 電特性檢測 半導體元件參數分析(I-VCurve)自動曲線追蹤儀(AutoCurveTracer,ACT)奈米探針電性量測(Nanoprobe)點針訊號量測(Probe)ESD保護元件之TLP電特性量測 非破壞分析 超高解析度數位顯微鏡(3DOM)超音波掃瞄(SAT檢測)X射線檢測(2DX-ray)超高解析度3DX-Ray顯微鏡 樣品前處理 IC開蓋去除封膠(Decap)IC層次去除(Delayer)剖面/晶背研磨(Cross-section/Backside)離子束剖面研磨(CP) 故障點偵測 微光顯微鏡(EMMI)砷化鎵銦微光顯微鏡(InGaAs)雷射光束電阻異常偵測(OBIRCH)ThermalEMMI(InSb) 競爭力分析 IC結構分析/成本分析 訊號測試 有線訊號測試 HDMI測試/除錯/認證MHL測試/除錯/認證HDCP測試/除錯/認證DisplayPort測試/除錯/認證VESADisplayHDR/DisplayHDRTrueBlack測試/除錯/認證特殊有線訊號量測 設計品質管理(DQM) 相容性測試(CompatibilityTest)軟體成熟度測試(SoftwareMaturityTest) 材料分析 樣品前處理 雙束聚焦離子束(DualBeamFIB) 結構觀察 掃描式電子顯微鏡(SEM)穿透式電子顯微鏡(TEM)雙束聚焦離子束(DualBeamFIB)雙束電漿離子束(PlasmaFIB) 表面分析 歐傑電子能譜儀(AES)X光光電子能譜儀(XPS/ESCA)二次離子質譜分析儀(SIMS)X光繞射分析(XRD)原子力顯微鏡(AFM)白光干涉儀(WLI)傅立葉轉換紅外線光譜儀(FTIR) 熱特性分析 動態機械分析儀(DMA)微示差掃描熱卡分析儀(DSC)熱重分析儀(TGA)熱機械分析儀(TMA) 成份分析 掃描式電子顯微鏡(SEM)穿透式電子顯微鏡(TEM)歐傑電子能譜儀(AES)X光光電子能譜儀(XPS/ESCA) 可靠度設計驗證 零件可靠度驗證 IC加速環境壓力測試 濕度敏感等級試驗(MSLTest)溫溼度試驗(Temperature/Humidity) IC加速壽命模擬測試 工作壽命試驗(OLT)非揮發性記憶體可靠度試驗(NVRAM) IC封裝完整性測試 封裝打線強度試驗(WireBondTest)焊錫性試驗(SolderBall)封裝引腳完整性試驗(LeadIntegrity)封裝體完整性測試(PackageAssembly) IC電氣驗證測試 靜電防護/過度電性應力/閂鎖試驗(ESD/EOS/Latch-up)低壓雷擊測試(SurgeTest)電磁相容測試(EMC) 機械應力測試 板階可靠度驗證 低應變率試驗 溫度循環/溫度衝擊試驗板彎/彎曲試驗(Bending) 高應變率試驗 機械衝擊試驗(MechanicalShock)振動試驗(Vibration)複合式振動測試(CombinedVibration) 高溫高濕穩態試驗(Steady-state)機械應力試驗(Mechanicalstress)板階可靠度整合故障分析 PCB設計驗證 測試電路板設計/製作電路板可靠度驗證  SMT服務 SMT測試樣品製備/量產 汽車電子驗證 車電零組件可靠度驗證(AEC-Q)板階(BLR)車電可靠度驗證車用系統/PCB可靠度驗證  翹曲驗證 翹曲量測(WarpageMeasurement) 其他類 加速腐蝕驗證平台PCB焊盤坑裂驗證平台微量重量損失分析封裝元件去溼分析試驗 化學分析/各類輔導 精密化性物性材料驗證 環保法規檢測PCB/PCBA化學相關驗證油品/水質/土壤/氣體組成分析微汙染(未知物)檢測分析化學物質管理 管理系統及產品規範輔導 全面品質管理(IATF16949輔導）ISO26262：2018車輛功能安全標準輔導環安衛與CSR增值服務ISO/IEC17025實驗室認證輔導WEEE環保標章及EPEAT輔導溫室氣體/碳水足跡盤查/ISO50001輔導 如何前來宜特 全球營運據點交通方式 0800-668-797 免費收送件專線